宽禁带半导体以碳化硅、氮化镓为核心，具备耐高温、耐高压、抗辐供卵助孕机构。
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宽禁带半导体以碳化硅、氮化镓为核心，具备耐高温、耐高压、抗辐供卵助孕机构。
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